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文献
J-GLOBAL ID：201402209442112221
整理番号：14A1019370
Si基板に接合したGaInAsP/InPから成る横方向電流注入型薄膜レーザーの室温における連続波動作
Room-temperature continuous-wave operation of GaInAsP/InP lateral-current-injection membrane laser bonded on Si substrate
INOUE Daisuke
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
LEE Jieun
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
DOI Kyohei
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
HIRATANI Takuo
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
ATSUJI Yuki
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
AMEMIYA Tomohiro
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
NISHIYAMA Nobuhiko
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
ARAI Shigehisa
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 7 号： 7 ページ： 072701.1-072701.4 発行年： 2014年07月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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