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文献
J-GLOBAL ID:201402209442112221   整理番号:14A1019370

Si基板に接合したGaInAsP/InPから成る横方向電流注入型薄膜レーザーの室温における連続波動作

Room-temperature continuous-wave operation of GaInAsP/InP lateral-current-injection membrane laser bonded on Si substrate
著者 (8件):
INOUE Daisuke
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
LEE Jieun
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
DOI Kyohei
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
HIRATANI Takuo
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
ATSUJI Yuki
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
AMEMIYA Tomohiro
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
NISHIYAMA Nobuhiko
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
ARAI Shigehisa
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)

資料名:
Applied Physics Express  (Applied Physics Express)

巻:号:ページ: 072701.1-072701.4  発行年: 2014年07月 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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