前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201402209533188395
整理番号：14A0622757
Al/Al2O3/AlリッチAl-O/SiO2/p-Si電荷トラッピングフラッシュメモリ構造のメモリー特性に及ぼす低温ポスト堆積アニーリングの影響
Influences of low-temperature postdeposition annealing on memory properties of Al/Al2O3/Al-rich Al-O/SiO2/p-Si charge trapping flash memory structures
OZAKI Shinya
(Graduate School of Natural Sci. and Technol., Kanazawa Univ., Kanazawa, Ishikawa 920-1192, JPN)
,
KATO Takashi
(Graduate School of Natural Sci. and Technol., Kanazawa Univ., Kanazawa, Ishikawa 920-1192, JPN)
,
KAWAE Takeshi
(Graduate School of Natural Sci. and Technol., Kanazawa Univ., Kanazawa, Ishikawa 920-1192, JPN)
,
MORIMOTO Akiharu
(Graduate School of Natural Sci. and Technol., Kanazawa Univ., Kanazawa, Ishikawa 920-1192, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 32 号： 3 ページ： 031213-031213-5 発行年： 2014年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。