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文献
J-GLOBAL ID:201402210263284484   整理番号:14A0657045

非晶質Si3N4膜におけるイオン軌跡形成に対する表面効果

Surface effect on ion track formation in amorphous Si3N4 films
著者 (10件):
MORITA Y.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
NAKAJIMA K.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
SUZUKI M.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
NARUMI K.
(Japan Atomic Energy Agency, Gumma, JPN)
SAITOH Y.
(Japan Atomic Energy Agency, Gumma, JPN)
ISHIKAWA N.
(Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN)
HOJOU K.
(Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN)
TSUJIMOTO M.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
ISODA S.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
KIMURA K.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

資料名:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)

巻: 315  ページ: 142-145  発行年: 2013年11月15日 
JST資料番号: H0899A  ISSN: 0168-583X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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