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文献
J-GLOBAL ID：201402213370721977
整理番号：14A0575571
20nmプレーナNANDフラッシュメモリ特性に及ぼす高密度ナノドット型貯蔵層構造による効果
Effect with high density nano dot type storage layer structure on 20nm planar NAND flash memory characteristics
SASAKI Takeshi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SASAKI Takeshi
(JST-CREST, Sendai, JPN)
,
MURAGUCHI Masakazu
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MURAGUCHI Masakazu
(JST-CREST, Sendai, JPN)
,
SEO Moon-Sik
(SK hynix Inc., Gyeonggi, KOR)
,
PARK Sung-Kye
(SK hynix Inc., Gyeonggi, KOR)
,
ENDOH Tetsuo
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
ENDOH Tetsuo
(JST-CREST, Sendai, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53 号： 4S ページ： 04ED17.1-04ED17.8 発行年： 2014年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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