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文献
J-GLOBAL ID：201402214241804226
整理番号：13A1951589
金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタのチャネルにおける意図的でない量子ドットに対するCoulomb/閉込めエネルギーの擬対称バイアスと訂正評価
Pseudosymmetric bias and correct estimation of Coulomb/confinement energy for unintentional quantum dot in channel of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
ONO K.
(Low Temperature Physics Lab., RIKEN, 2-1 Hirosawa, Wako-shi, Saitama 351-0198, JPN)
,
TANAMOTO T.
(Corporate R&D Center, Toshiba Corp., 1 Komukai, Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 212-8582, JPN)
,
OHGURO T.
(Corporate R&D Center, Toshiba Corp., 1 Komukai, Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 212-8582, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 103 号： 18 ページ： 183107-183107-4 発行年： 2013年10月28日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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