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文献
J-GLOBAL ID：201402214254126235
整理番号：14A0400609
Zn(Sn,Ge)N2半導体合金におけるバンドギャップ同調
Bandgap Tunability in Zn(Sn,Ge)N2 Semiconductor Alloys
NARANG Prineha
(California Inst. Technol., CA, USA)
,
NARANG Prineha
(Joint Center for Artificial Photosynthesis, CA)
,
CHEN Shiyou
(Joint Center for Artificial Photosynthesis, CA)
,
CHEN Shiyou
(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
,
CORONEL Naomi C.
(California Inst. Technol., CA, USA)
,
GUL Sheraz
(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
,
YANO Junko
(Joint Center for Artificial Photosynthesis, CA)
,
YANO Junko
(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
,
WANG Lin-Wang
(Joint Center for Artificial Photosynthesis, CA)
,
WANG Lin-Wang
(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
,
LEWIS Nathan S.
(California Inst. Technol., CA, USA)
,
LEWIS Nathan S.
(Joint Center for Artificial Photosynthesis, CA)
,
ATWATER Harry A.
(California Inst. Technol., CA, USA)
,
ATWATER Harry A.
(Joint Center for Artificial Photosynthesis, CA)
資料名：
Advanced Materials
(Advanced Materials)
巻： 26 号： 8 ページ： 1235-1241 発行年： 2014年02月26日
JST資料番号： W0001A ISSN： 0935-9648 CODEN： ADVMEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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