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文献
J-GLOBAL ID：201402214934799129
整理番号：14A0032080
電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性
Photoelectrode properties of GaN porous structures formed by photo-assisted electrochemical process
熊崎祐介
(北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
,
渡部晃生
(北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
,
谷田部然治
(北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
,
佐藤威友
(北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113 号： 329(ED2013 64-89) ページ： 113-116 発行年： 2013年11月21日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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