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文献
J-GLOBAL ID：201402215451004547
整理番号：14A0661482
擬磁場効果を組み込んだ歪グラフェン電界効果トランジスタのシミュレーションベース設計
Simulation-based design of a strained graphene field effect transistor incorporating the pseudo magnetic field effect
SOUMA Satofumi
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Kobe Univ., 1-1 Rokkodai, Nada, Kobe 657-8501, JPN)
,
UEYAMA Masayuki
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Kobe Univ., 1-1 Rokkodai, Nada, Kobe 657-8501, JPN)
,
OGAWA Matsuto
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Kobe Univ., 1-1 Rokkodai, Nada, Kobe 657-8501, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 104 号： 21 ページ： 213505-213505-4 発行年： 2014年05月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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