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文献
J-GLOBAL ID：201402218606494839
整理番号：14A1457528
テトラキス-ジメチル-アミン-スズ前駆体とオゾン反応物を用いた原子層蒸着により蒸着した高伝導性SnO2薄膜
Highly conductive SnO2 thin films deposited by atomic layer deposition using tetrakis-dimethyl-amine-tin precursor and ozone reactant
CHOI Dong-won
,
PARK Jin-seong
資料名：
Surface & Coatings Technology
(Surface & Coatings Technology)
巻： 259 号： Part B ページ： 238-243 発行年： 2014年11月25日
JST資料番号： D0205C ISSN： 0257-8972 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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