文献
J-GLOBAL ID:201402219515233486
整理番号:14A0827552
SiCおよびGaNデバイス 広いバンドギャップはすべて同じではない
SiC and GaN devices-wide bandgap is not all the same
著者 (2件):
KAMINSKI Nando
(Univ. Bremen, Bremen, DEU)
,
HILT Oliver
(Leibniz-Inst. Hoechstfrequenztechnik, Berlin, DEU)
資料名:
IET Circuits, Devices & Systems
(IET Circuits, Devices & Systems)
巻:
8
号:
3
ページ:
227-236
発行年:
2014年05月
JST資料番号:
A0160C
ISSN:
1751-858X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)