文献
J-GLOBAL ID:201402221222764953
整理番号:14A1085263
拡張ゲート電界効果トランジスタ(EGFET)用途のためのポリシリコン上への高k酸化サマリウム膜の蒸着
Deposition of High-k Samarium Oxide Membrane on Polysilicon for the Extented-Gate Field-Effect Transistor (EGFET) Applications
著者 (9件):
KAO Chyuan-Haur
(Chang Gung Univ.)
,
CHEN Hsiang
(Chang Gung Univ.)
,
CHEN Hsiang
(National Chi Nan Univ., Nantou County, TWN)
,
WANG Jer-Chyi
(Chang Gung Univ.)
,
CHU Yu-Cheng
(National Chi Nan Univ., Nantou County, TWN)
,
LAI Chiao-Sung
(Chang Gung Univ.)
,
LIN Shih-Po
(Chang Gung Univ.)
,
HUANG Chuan-Yu
(Chang Gung Univ.)
,
OU Jiun-Cheng
(Chang Gung Univ.)
資料名:
Journal of New Materials for Electrochemical Systems
(Journal of New Materials for Electrochemical Systems)
巻:
17
号:
1
ページ:
13-16
発行年:
2014年01月
JST資料番号:
W1892A
ISSN:
1480-2422
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
カナダ (CAN)
言語:
英語 (EN)