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文献
J-GLOBAL ID：201402221571288670
整理番号：14A1128955
フッ素化窒化ケイ素の直接蒸着により形成したソース/ドレイン領域を持つ自己整合ボトムゲートIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ
Self-Aligned Bottom-Gate In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistor With Source/Drain Regions Formed by Direct Deposition of Fluorinated Silicon Nitride
JIANG Jingxin
(Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN)
,
FURUTA Mamoru
(Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN)
,
WANG Dapeng
(Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 35 号： 9 ページ： 933-935 発行年： 2014年09月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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