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文献
J-GLOBAL ID：201402221656244800
整理番号：14A0575692
表面活性化ボンディングベースInGaPオンSi二重接合電池
Surface-activated-bonding-based InGaP-on-Si double-junction cells
SHIGEKAWA Naoteru
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
SHIGEKAWA Naoteru
(JST-CREST, Osaka, JPN)
,
MORIMOTO Masashi
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
NISHIDA Shota
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
LIANG Jianbo
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
LIANG Jianbo
(JST-CREST, Osaka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53 号： 4S ページ： 04ER05.1-04ER05.4 発行年： 2014年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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