文献
J-GLOBAL ID:201402226793648677
整理番号:14A0268143
強誘電性高κゲート誘電体を用いた低電圧急峻ターンオンp型MOSFET
Low-Voltage Steep Turn-On pMOSFET Using Ferroelectric High-κ Gate Dielectric
著者 (2件):
CHENG Chun Hu
(National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN)
,
CHIN Albert
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
35
号:
2
ページ:
274-276
発行年:
2014年02月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)