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文献
J-GLOBAL ID：201402227400789920
整理番号：14A1041154
超高次非線形誘電顕微鏡観察を用いたSiCパワー二重拡散金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの横断面ドーパントプロフィルと空乏層の可視化
Cross-sectional dopant profiling and depletion layer visualization of SiC power double diffused metal-oxide-semiconductor field effect transistor using super-higher-order nonlinear dielectric microscopy
CHINONE N.
(Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
,
NAKAMURA T.
(ROHM Co., Ltd., 21 Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto 615-8585, JPN)
,
CHO Y.
(Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 116 号： 8 ページ： 084509-084509-7 発行年： 2014年08月28日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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