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文献
J-GLOBAL ID：201402228466675574
整理番号：14A1499429
シリコンプラズマエッチング中の表面粗化の二つのモード イオン化されたエッチング生成物の役割
Two modes of surface roughening during plasma etching of silicon: Role of ionized etch products
NAKAZAKI Nobuya
(Dep. of Aeronautics and Astronautics, Graduate School of Engineering, Kyoto Univ., Kyoto-daigaku Katsura ...)
,
TSUDA Hirotaka
(Dep. of Aeronautics and Astronautics, Graduate School of Engineering, Kyoto Univ., Kyoto-daigaku Katsura ...)
,
TAKAO Yoshinori
(Dep. of Aeronautics and Astronautics, Graduate School of Engineering, Kyoto Univ., Kyoto-daigaku Katsura ...)
,
ERIGUCHI Koji
(Dep. of Aeronautics and Astronautics, Graduate School of Engineering, Kyoto Univ., Kyoto-daigaku Katsura ...)
,
ONO Kouichi
(Dep. of Aeronautics and Astronautics, Graduate School of Engineering, Kyoto Univ., Kyoto-daigaku Katsura ...)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 116 号： 22 ページ： 223302-223302-20 発行年： 2014年12月14日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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