文献
J-GLOBAL ID:201402230308751489
整理番号:14A0056530
短期記憶から長期記憶への転換を模倣したIZOホモ接合シナプストランジスタ
Short-Term Memory to Long-Term Memory Transition Mimicked in IZO Homojunction Synaptic Transistors
著者 (10件):
GUO Liqiang
(Nanjing Univ., Nanjing, CHN)
,
GUO Liqiang
(Ningbo Inst. Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. Sci., Ningbo, CHN)
,
WAN Qing
(Nanjing Univ., Nanjing, CHN)
,
WAN Qing
(Ningbo Inst. Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. Sci., Ningbo, CHN)
,
WAN Changjin
(Nanjing Univ., Nanjing, CHN)
,
WAN Changjin
(Ningbo Inst. Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. Sci., Ningbo, CHN)
,
ZHU Liqiang
(Nanjing Univ., Nanjing, CHN)
,
ZHU Liqiang
(Ningbo Inst. Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. Sci., Ningbo, CHN)
,
SHI Yi
(Nanjing Univ., Nanjing, CHN)
,
SHI Yi
(Ningbo Inst. Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. Sci., Ningbo, CHN)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
34
号:
12
ページ:
1581-1583
発行年:
2013年12月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)