文献
J-GLOBAL ID:201402232337536751
整理番号:13A1965242
X線回折とすれすれ入射X線反射および二次イオン質量分析による多層SiGe半導体構造の研究
Study of multilayered SiGe semiconductor structures by X-ray diffractometry, grazing-incidence X-ray reflectometry, and secondary-ion mass spectrometry
著者 (5件):
YUNIN P. A.
(Inst. for Physics of Microstructures, 603950, Nizhni Novgorod, RUS)
,
DROZDOV Yu. N.
(Inst. for Physics of Microstructures, 603950, Nizhni Novgorod, RUS)
,
DROZDOV M. N.
(Inst. for Physics of Microstructures, 603950, Nizhni Novgorod, RUS)
,
KOROLEV S. A.
(Inst. for Physics of Microstructures, 603950, Nizhni Novgorod, RUS)
,
LOBANOV D. N.
(Inst. for Physics of Microstructures, 603950, Nizhni Novgorod, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
47
号:
12
ページ:
1556-1561
発行年:
2013年12月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)