文献
J-GLOBAL ID:201402232866109907
整理番号:14A0209273
デバイス形態の異なるIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの電気的バイアス温度不安定性に関する比較調査
Comparative studies on electrical bias temperature instabilities of In-Ga-Zn-O thin film transistors with different device configurations
著者 (4件):
RYU Min-Ki
(Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI), Daejeon, KOR)
,
PARK Sang-Hee Ko
(Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI), Daejeon, KOR)
,
HWANG Chi-Sun
(Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI), Daejeon, KOR)
,
YOON Sung-Min
(Kyung Hee Univ., Gyeonggido, KOR)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
89
ページ:
171-176
発行年:
2013年
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)