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文献
J-GLOBAL ID：201402233317579469
整理番号：14A0869262
ギャップの広いp型半導体,層状酸化硫化物LaCuSO,の輸送特性に及ぼすCuの化学量論組成からの外れの効果
Effects of the Cu off-stoichiometry on transport properties of wide gap p-type semiconductor, layered oxysulfide LaCuSO
GOTO Yosuke
(Dep. of Applied Physics and Physico-Informatics, Fac. of Sci. and Technol., Keio Univ., 3-14-1 Hiyoshi, Yokohama ...)
,
TANAKI Mai
(Dep. of Applied Physics and Physico-Informatics, Fac. of Sci. and Technol., Keio Univ., 3-14-1 Hiyoshi, Yokohama ...)
,
OKUSA Yuki
(Dep. of Applied Physics and Physico-Informatics, Fac. of Sci. and Technol., Keio Univ., 3-14-1 Hiyoshi, Yokohama ...)
,
SHIBUYA Taizo
(Dep. of Mechanical Engineering, Fac. of Sci. and Technol., Keio Univ., Yokohama 223-8522, JPN)
,
YASUOKA Kenji
(Dep. of Mechanical Engineering, Fac. of Sci. and Technol., Keio Univ., Yokohama 223-8522, JPN)
,
MATOBA Masanori
(Dep. of Applied Physics and Physico-Informatics, Fac. of Sci. and Technol., Keio Univ., 3-14-1 Hiyoshi, Yokohama ...)
,
KAMIHARA Yoichi
(Dep. of Applied Physics and Physico-Informatics, Fac. of Sci. and Technol., Keio Univ., 3-14-1 Hiyoshi, Yokohama ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 105 号： 2 ページ： 022104-022104-4 発行年： 2014年07月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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