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文献
J-GLOBAL ID：201402234114590650
整理番号：14A1322199
固体紫外光源を目指した窒化物半導体結晶成長の最前線 (Al,Ga)N系半導体の物性予測に向けたGaNとAlNの物性定数の同定
Determination of Material Parameters in GaN and AlN for Predicting the Properties of AlGaN-based Semiconductors
石井良太
(京大)
,
船戸充
(京大)
,
川上養一
(京大)
資料名：
日本結晶成長学会誌(CD-ROM)
(Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
巻： 41 号： 3 ページ： 138-145 発行年： 2014年10月
JST資料番号： F0452C ISSN： 2188-7268 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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