文献
J-GLOBAL ID:201402234910198346
整理番号:14A0224269
高周波において異なる抵抗率を有するシリコン基板の損失メカニズムとハイ・ロー・ドーピングプロファイル効果
Loss Mechanism and High-low Doping Profile Effects of Silicon Substrate with Different Resistivities at High Frequency
著者 (3件):
SHU Wen
(Univ. Texas at Dallas, TX, USA)
,
SHICHIJO Sam
(Univ. Texas at Dallas, TX, USA)
,
HENDERSON Rashaunda M.
(Univ. Texas at Dallas, TX, USA)
資料名:
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
(IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻:
2013 Vol.2
ページ:
1043-1046
発行年:
2013年
JST資料番号:
A0636A
ISSN:
0149-645X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)