文献
J-GLOBAL ID:201402235101321435
整理番号:14A0046432
DIBL効果を取り入れた弾道・準弾道GAA-MOSFSETのコンパクトモデル
Analytic Compact Model of Ballistic and Quasi-ballistic Cylindrical Gate-All-Around MOSFET Incorporating Drain-Induced Barrier Lowering Effect
著者 (5件):
CHENG He
(名古屋大 大学院)
,
CHENG He
(JST-CREST)
,
宇野重康
(立命館大 理工)
,
宇野重康
(JST-CREST)
,
中里和郎
(名古屋大 大学院)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
113
号:
296(SDM2013 99-115)
ページ:
43-48
発行年:
2013年11月07日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)