文献
J-GLOBAL ID:201402235126758048
整理番号:14A0978546
10~30 keV注入による絶縁体の二次電子収率のパラメーター式
THE FORMULAE FOR PARAMETERS OF THE SECONDARY ELECTRON YIELD OF INSULATORS FROM 10 keV TO 30 keV
著者 (4件):
XIE Ai-Gen
(Nanjing Univ. of Information Sci. and Technol., Nanjing, CHN)
,
LI Qing-Fang
(Nanjing Univ. of Information Sci. and Technol., Nanjing, CHN)
,
CHEN Yun-Yun
(Nanjing Univ. of Information Sci. and Technol., Nanjing, CHN)
,
WU Hong-Yan
(Nanjing Univ. of Information Sci. and Technol., Nanjing, CHN)
資料名:
Modern Physics Letters B. Condensed Matter Physics, Statistical Physics, Applied Physics
(Modern Physics Letters B. Condensed Matter Physics, Statistical Physics, Applied Physics)
巻:
27
号:
32
ページ:
1350238.1-1350238.10
発行年:
2013年12月30日
JST資料番号:
T0431A
ISSN:
0217-9849
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
シンガポール (SGP)
言語:
英語 (EN)