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文献
J-GLOBAL ID：201402235199275614
整理番号：14A1039960
16kV超高電圧SiCフリップ型nチャネルIE-IGBTを使った大電流容量モジュールの動特性
Dynamic Characteristics of Large Current Capacity Module using 16-kV Ultrahigh Voltage SiC Flip-Type n-channel IE-IGBT
MIZUSHIMA Tomonori
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
TAKENAKA Kensuke
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
FUJISAWA Hiroyuki
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
KATO Tomohisa
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
HARADA Shinsuke
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
TANAKA Yasunori
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
OKAMOTO Mitsuo
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
SOMETANI Mitsuru
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
OKAMOTO Dai
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
KUMAGAI Naoki
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
KUMAGAI Naoki
(Fuji Electric Co. Ltd., Tokyo, JPN)
,
MATSUNAGA Shinichiro
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
MATSUNAGA Shinichiro
(Fuji Electric Co. Ltd., Tokyo, JPN)
,
DEGUCHI Tadayoshi
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
ARAI Manabu
(New Japan Radio Co. Ltd., Saitama, JPN)
,
HATAKEYAMA Tetsuo
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
MAKIFUCHI Youichi
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
ARAOKA Tsuyoshi
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
OOSE Naoyuki
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
TSUTSUMI Takashi
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
YOSHIKAWA Mitsuru
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
TATERA Katsumi
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
TANAKA Atsushi
(Kansai Electric Power Co., Inc., Hyogo, JPN)
,
OGATA Syuji
(Kansai Electric Power Co., Inc., Hyogo, JPN)
,
NAKAYAMA Koji
(Kansai Electric Power Co., Inc., Hyogo, JPN)
,
HAYASHI Toshihiko
(Kansai Electric Power Co., Inc., Hyogo, JPN)
,
ASANO Katsunori
(Kansai Electric Power Co., Inc., Hyogo, JPN)
,
HARASHIMA Masayuki
(Tokyo Electron Yamanashi Ltd., Yamanashi, JPN)
,
SANO Yukio
(Tokyo Electron Yamanashi Ltd., Yamanashi, JPN)
,
MORISAKI Eisuke
(Tokyo Electron Yamanashi Ltd., Yamanashi, JPN)
,
TAKEI Manabu
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
TAKEI Manabu
(Fuji Electric Co. Ltd., Tokyo, JPN)
,
MIYAJIMA Masaaki
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
KIMURA Hiroshi
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
OTSUKI Akihiro
(Fuji Electric Co. Ltd., Tokyo, JPN)
,
YONEZAWA Yoshiyuki
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
FUKUDA Kenji
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
OKUMURA Hajime
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
KIMOTO Tsunenobu
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 26th ページ： 277-280 発行年： 2014年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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