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文献
J-GLOBAL ID：201402235421513391
整理番号：14A1490269
PAMBEによりサファイア上に成長したInNエピ層の構造,電気的及び光学的特性に及ぼす窒化の効果
Effect of nitridation on structure, electrical and optical properties of InN epilayers grown on sapphire by PAMBE
ZHAO Yang
(State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Coll. of Electronic Sci. and Engineering, Jilin Univ., Qianjin Street ...)
,
WANG Hui
(School of Physics and Engineering, Henan Univ. of Sci. and Technol., Luoyang 471003, CHN)
,
WU Guoguang
(State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Coll. of Electronic Sci. and Engineering, Jilin Univ., Qianjin Street ...)
,
JING Qiang
(State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Coll. of Electronic Sci. and Engineering, Jilin Univ., Qianjin Street ...)
,
GAO Fubin
(State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Coll. of Electronic Sci. and Engineering, Jilin Univ., Qianjin Street ...)
,
LI Wancheng
(State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Coll. of Electronic Sci. and Engineering, Jilin Univ., Qianjin Street ...)
,
ZHANG Baolin
(State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Coll. of Electronic Sci. and Engineering, Jilin Univ., Qianjin Street ...)
,
DU Guotong
(State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Coll. of Electronic Sci. and Engineering, Jilin Univ., Qianjin Street ...)
,
DU Guotong
(School of Physics and Optoelectronic Technol., Dalian Univ. of Technol., Dalian 116023, CHN)
資料名：
Vacuum
(Vacuum)
巻： 111 ページ： 15-18 発行年： 2015年01月
JST資料番号： E0347A ISSN： 0042-207X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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