文献
J-GLOBAL ID:201402235760064601
整理番号:14A1448829
Ge CMOSのためのキャリア活性化増強(CAE)技術を用いた超低接触抵抗NiGeのその場接触形成
In-situ Contact Formation for Ultra-low Contact Resistance NiGe Using Carrier Activation Enhancement (CAE) Techniques for Ge CMOS
著者 (5件):
MIYOSHI Hidenori
(Tokyo Electron Ltd., Yamanashi, JPN)
,
UENO Tetsuji
(Tokyo Electron Ltd., Yamanashi, JPN)
,
AKIYAMA Koji
(Tokyo Electron Ltd., Yamanashi, JPN)
,
HIROTA Yoshihiro
(Tokyo Electron Ltd., Yamanashi, JPN)
,
KAITSUKA Takanobu
(Tokyo Electron Ltd., Yamanashi, JPN)
資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻:
2014
ページ:
146-147
発行年:
2014年
JST資料番号:
A0035B
ISSN:
0743-1562
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)