文献
J-GLOBAL ID:201402235982715945
整理番号:14A0064000
3D垂直抵抗ランダムアクセスメモリの平面電極厚みスケーリングの実験研究
Experimental study of plane elelctrode thickness scaling for 3D vertical resistive random access memory
著者 (9件):
CHEN Hong-Yu
(Stanford Univ., CA, USA)
,
YU Shimeng
(Stanford Univ., CA, USA)
,
GAO Bin
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
LIU Rui
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
JIANG Zizhen
(Stanford Univ., CA, USA)
,
DENG Yexin
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
CHEN Bing
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
KANG Jinfeng
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
WONG H-S Philip
(Stanford Univ., CA, USA)
資料名:
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻:
24
号:
46
ページ:
465201,1-5
発行年:
2013年11月22日
JST資料番号:
W0108A
ISSN:
0957-4484
CODEN:
NNOTER
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)