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文献
J-GLOBAL ID：201402236646364340
整理番号：14A0413223
低炭素ドープGaN層の複数の欠陥状態とそのAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ動作との相関関係
A study on multiple defect states in low-carbon doped GaN layers and its correlation with AlGaN/GaN high electron mobility transistor operation
TANAKA Takeshi
(Graduate School of Electrical and Electronics Engineering, Univ. of Fukui, JPN)
,
TANAKA Takeshi
(Engineering Dept., Compound Semiconductor Products Business Unit, Cable Materials Co., Hitachi Metals, Ltd. ...)
,
SHIOJIMA Kenji
(Graduate School of Electrical and Electronics Engineering, Univ. of Fukui, JPN)
,
OTOKI Yohei
(Engineering Dept., Compound Semiconductor Products Business Unit, Cable Materials Co., Hitachi Metals, Ltd. ...)
,
TOKUDA Yutaka
(Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Aichi Inst. of Technol., JPN)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 557 ページ： 207-211 発行年： 2014年04月30日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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