文献
J-GLOBAL ID:201402236994721831
整理番号:14A0425920
光ルミネセンスイメージングを用いた4H-SiCエピタキシャル層及び基板における転位の同定
Identification of dislocations in 4H-SiC epitaxial layers and substrates using photoluminescence imaging
著者 (3件):
KAWAHARA Chihiro
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
SUDA Jun
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KIMOTO Tsunenobu
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
53
号:
2
ページ:
020304.1-020304.3
発行年:
2014年02月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)