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文献
J-GLOBAL ID：201402240688083551
整理番号：14A0426435
酸素導入Arスパッタリングにより堆積したAlドープCeO2薄膜の電気的性質
ELECTRICAL PROPERTIES OF Al DOPED CeO2 THIN FILMS DEPOSITED BY O2 INTRODUCED Ar SPUTTERING
NOTANI Y.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
OKAZAKI T.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
HARA K.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
OSAWA T.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
HIBINO K.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
SUZUKI S.
(Comet Inc., Ibaraki, JPN)
,
ISHIBASHI K.
(Comet Inc., Ibaraki, JPN)
,
YAMAMOTO Y.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement
(Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号： 32 ページ： 52-57 発行年： 2014年03月
JST資料番号： L0263A ISSN： 0914-2908 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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