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文献
J-GLOBAL ID：201402240839357861
整理番号：14A0493213
イオン・ビームにより誘起されるシリコン・カーバイド金属酸化物半導体素子の破壊電圧
Breakdown Voltage In Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Devices Induced By Ion Beams
OHSHIMA T.
(Japan Atomic Energy Agency (JAEA), Gunma, JPN)
,
DEKI M.
(Japan Atomic Energy Agency (JAEA), Gunma, JPN)
,
DEKI M.
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
MAKINO T.
(Japan Atomic Energy Agency (JAEA), Gunma, JPN)
,
IWAMOTO N.
(Japan Atomic Energy Agency (JAEA), Gunma, JPN)
,
ONODA S.
(Japan Atomic Energy Agency (JAEA), Gunma, JPN)
,
HIRAO T.
(Japan Atomic Energy Agency (JAEA), Gunma, JPN)
,
KOJIMA K.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
TOMITA T.
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
MATSUO S.
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
HASHIMOTO S.
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
資料名：
AIP Conference Proceedings
(AIP Conference Proceedings)
巻： 1525 ページ： 654-658 発行年： 2013年
JST資料番号： D0071C ISSN： 0094-243X 資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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