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文献
J-GLOBAL ID:201402240839357861   整理番号:14A0493213

イオン・ビームにより誘起されるシリコン・カーバイド金属酸化物半導体素子の破壊電圧

Breakdown Voltage In Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Devices Induced By Ion Beams
著者 (11件):
OHSHIMA T.
(Japan Atomic Energy Agency (JAEA), Gunma, JPN)
DEKI M.
(Japan Atomic Energy Agency (JAEA), Gunma, JPN)
DEKI M.
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
MAKINO T.
(Japan Atomic Energy Agency (JAEA), Gunma, JPN)
IWAMOTO N.
(Japan Atomic Energy Agency (JAEA), Gunma, JPN)
ONODA S.
(Japan Atomic Energy Agency (JAEA), Gunma, JPN)
HIRAO T.
(Japan Atomic Energy Agency (JAEA), Gunma, JPN)
KOJIMA K.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
TOMITA T.
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
MATSUO S.
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
HASHIMOTO S.
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)

資料名:
AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)

巻: 1525  ページ: 654-658  発行年: 2013年 
JST資料番号: D0071C  ISSN: 0094-243X  資料種別: 会議録 (C)
発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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