文献
J-GLOBAL ID:201402242534423808
整理番号:14A0760504
珪素上の領域選択成長により成長させたInGaAs p-i-nマイクロディスク中の近赤外エレクトロルミネセンスと光検出
Near-infrared electroluminescence and photo detection in InGaAs p-i-n microdisks grown by selective area growth on silicon
著者 (3件):
KJELLMAN Jon Oyvind
(Res. Center for Advanced Sci. and Technol., The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8904, JPN)
,
SUGIYAMA Masakazu
(Dep. of Electrical Engineering and Information System, School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Bunkyo ...)
,
NAKANO Yoshiaki
(Dep. of Electrical Engineering and Information System, School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Bunkyo ...)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
104
号:
24
ページ:
241103-241103-4
発行年:
2014年06月16日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)