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J-GLOBAL ID：201402242805395040 整理番号：14A0682408

フレキシブルエレクトロニクス創成に向けた金誘起層交換成長法による擬似単結晶Ge/プラスチックの形成

Formation of quasi-single crystal Ge on plastic by Au-induced layer-exchange growth

著者 (3件)：

PARK Jong-Hyeok

(九大大学院)

宮尾正信

(九大大学院)

佐道泰造

(九大大学院)

資料名：

電子情報通信学会技術研究報告 (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻： 114 号： 2(OME2014 1-15) ページ： 17-20 発行年： 2014年04月03日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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