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文献
J-GLOBAL ID：201402243169514501
整理番号：14A0750207
バックツーバック接続したサブセルの相補的スイッチングによって低動作電流を示すTaOx/HfOyダブルスイッチング層構成を使った新規RRAMスタック
A Novel RRAM Stack With TaOx/HfOy Double-Switching-Layer Configuration Showing Low Operation Current Through Complimentary Switching of Back-to-Back Connected Subcells
TANG Yan Zhe
(Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore)
,
FANG Zheng
(Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore)
,
WANG Xin Peng
(Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore)
,
WENG Bao Bin
(Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore)
,
CHEN Zhi Xian
(Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore)
,
LO Guo Qiang
(Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 35 号： 6 ページ： 627-629 発行年： 2014年06月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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