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文献
J-GLOBAL ID：201402243437427420
整理番号：14A0564307
分子線エピタキシーによってβ-Ga2O3(010)基板上に成長したGa2O3エピタキシャル膜の構造と電気的特性の成長温度依存性
Growth temperature dependences of structural and electrical properties of Ga2O3 epitaxial films grown on β-Ga2O3 (010) substrates by molecular beam epitaxy
SASAKI Kohei
(Tamura Corp., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN)
,
SASAKI Kohei
(National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
,
HIGASHIWAKI Masataka
(National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
,
KURAMATA Akito
(Tamura Corp., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN)
,
MASUI Takekazu
(Koha Co., Ltd., 2-6-8 Kouyama, Nerima, Tokyo 176-0022, JPN)
,
YAMAKOSHI Shigenobu
(Tamura Corp., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 392 ページ： 30-33 発行年： 2014年04月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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