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文献
J-GLOBAL ID:201402245334552041   整理番号:14A1389128

擬似キャパシタンス性能の向上した中空Ni3S2ナノ粒子のグラフェンテンプレートによる合成

Graphene-templated growth of hollow Ni3S2 nanoparticles with enhanced pseudocapacitive performance
著者 (3件):
OU Xuewu
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
GAN Lin
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
LUO Zhengtang
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)

資料名:
Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)

巻:号: 45  ページ: 19214-19220  発行年: 2014年12月07日 
JST資料番号: W0204B  ISSN: 2050-7488  CODEN: JMCAET  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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