文献
J-GLOBAL ID:201402246551238327
整理番号:14A0380869
4H-SiC(11-20)上に4H-AlNゲート絶縁体をポリタイプ整合成長させた4H-SiC MISFET
4H-SiC MISFETs With 4H-AlN Gate Insulator Isopolytypically Grown on 4H-SiC (1120)
著者 (4件):
HORITA Masahiro
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
NOBORIO Masato
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KIMOTO Tsunenobu
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
SUDA Jun
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
35
号:
3
ページ:
339-341
発行年:
2014年03月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)