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文献
J-GLOBAL ID：201402247060723092
整理番号：14A0660652
Si(111)-β√3×√3-Biの空間電荷層で生成する2D[サブバンド状態のSTS(走査トンネル顕微/分光法)研究
STS Study of 2D Subband State Formed in the Space Charge Layer of Si(111)-β√3 × √3-Bi
NAGAOKA Katsumi
(International Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA), National Inst. for Materials Sci. (NIMS))
,
YAGINUMA Shin
(International Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA), National Inst. for Materials Sci. (NIMS))
,
NAKAYAMA Tomonobu
(International Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA), National Inst. for Materials Sci. (NIMS))
,
NAKAYAMA Tomonobu
(Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba)
資料名：
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web)
(e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web))
巻： 12 ページ： 217-220 (J-STAGE) 発行年： 2014年
JST資料番号： U0016A ISSN： 1348-0391 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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