文献
J-GLOBAL ID:201402247519722256
整理番号:14A1448844
Si及びGe n-FinFET上のD-SMTストレッサの実証
The demonstration of D-SMT stressor on Si and Ge n-FinFETs
著者 (8件):
LIAO M.-H.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
CHEN P.G.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
HUANG S.C.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
KAO S.C.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
HUNG C.X.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
LIU K.H.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
LIEN C.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
LIU C.Y.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻:
2014
ページ:
176-177
発行年:
2014年
JST資料番号:
A0035B
ISSN:
0743-1562
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)