文献
J-GLOBAL ID:201402247593760810
整理番号:14A0646610
特性改良用厚い底部酸化物による4H-SiCトレンチMOSFET
A 4H-SiC Trench MOSFET with Thick Bottom Oxide for Improving Characteristics
著者 (7件):
TAKAYA Hidefumi
(Toyota Motor Corp., Aichi, JPN)
,
MORIMOTO Jun
(Toyota Motor Corp., Aichi, JPN)
,
HAMADA Kimimori
(Toyota Motor Corp., Aichi, JPN)
,
YAMAMOTO Toshimasa
(DENSO CORP., Aichi, JPN)
,
SAKAKIBARA Jun
(DENSO CORP., Aichi, JPN)
,
WATTANABE Yukihiko
(Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN)
,
SOEJIMA Narumasa
(Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
25th
ページ:
43-46
発行年:
2013年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)