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文献
J-GLOBAL ID：201402249690722720
整理番号：14A1390422
有機金属気相成長によって成長したInGaN中へのIn混合に及ぼすサファイア窒化とIII族源流量比の影響
Effect of Sapphire Nitridation and Group-III Source Flow Rate Ratio on In-Incorporation Into InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
CHOI J.H.
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
CHOI J.H.
(JST-CREST, JPN)
,
SHOJIKI K.
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TANIKAWA T.
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TANIKAWA T.
(JST-CREST, JPN)
,
HANADA T.
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
HANADA T.
(JST-CREST, JPN)
,
KATAYAMA R.
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KATAYAMA R.
(JST-CREST, JPN)
,
MATSUOKA T.
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MATSUOKA T.
(JST-CREST, JPN)
資料名：
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 14 号： 8 ページ： 6112-6115 発行年： 2014年08月
JST資料番号： W1351A ISSN： 1533-4880 CODEN： JNNOAR 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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