文献
J-GLOBAL ID:201402250454490353
整理番号:14A1103180
MoS2/グラフェンヘテロ接合接点を持つ多層MoS2FETの電気特性
Electrical Characteristics of Multilayer MoS2 FET’s with MoS2/Graphene Heterojunction Contacts
著者 (7件):
KWAK Joon Young
(Cornell Univ., New York, USA)
,
HWANG Jeonghyun
(Cornell Univ., New York, USA)
,
CALDERON Brian
(Cornell Univ., New York, USA)
,
ALSALMAN Hussain
(Cornell Univ., New York, USA)
,
MUNOZ Nini
(Cornell Univ., New York, USA)
,
SCHUTTER Brian
(Cornell Univ., New York, USA)
,
SPENCER Michael G.
(Cornell Univ., New York, USA)
資料名:
Nano Letters
(Nano Letters)
巻:
14
号:
8
ページ:
4511-4516
発行年:
2014年08月
JST資料番号:
W1332A
ISSN:
1530-6984
CODEN:
NALEFD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)