文献
J-GLOBAL ID:201402251199344875
整理番号:14A0849134
原子層堆積法によるZnOナノ粒子修飾HfO2/Sn-ドープIn2O3コア-シェルナノワイア:電界放出挙動の表面修飾エンジニアリングによる増強
ZnO nanoparticle-decorated HfO2/Sn-doped In2O3 Core-shell nanowires by atomic layer deposition: enhancement of field emission behavior by surface modification engineering
著者 (7件):
CHANG Wen-Chih
(National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
HUANG Chi-Hsin
(National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
LAI Chih-Chung
(National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
TSAI Hsu-Sheng
(National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
LIN Shih-Min
(National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
LIN Su-Jien
(National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHUEH Yu-Lun
(National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
2
号:
27
ページ:
5335-5341
発行年:
2014年07月21日
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)