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文献
J-GLOBAL ID：201402251511421793
整理番号：14A1128957
バルクGaN基板上の1.5kVと2.2mΩ-cm2垂直GaNトランジスタ
1.5-kV and 2.2-mΩ-cm2 Vertical GaN Transistors on Bulk-GaN Substrates
NIE Hui
(Avogy Inc., CA, USA)
,
DIDUCK Quentin
(Avogy Inc., CA, USA)
,
ALVAREZ Brian
(Avogy Inc., CA, USA)
,
EDWARDS Andrew P.
(Avogy Inc., CA, USA)
,
KAYES Brendan M.
(Avogy Inc., CA, USA)
,
ZHANG Ming
(Avogy Inc., CA, USA)
,
YE Gangfeng
(Avogy Inc., CA, USA)
,
PRUNTY Thomas
(Avogy Inc., CA, USA)
,
BOUR Dave
(Avogy Inc., CA, USA)
,
KIZILYALLI Isik C.
(Avogy Inc., CA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 35 号： 9 ページ： 939-941 発行年： 2014年09月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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