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文献
J-GLOBAL ID：201402251512866799
整理番号：14A0450752
ナノ多孔質触媒を使用し金属支援化学的エッチングによるシリコン上の高アスペクト比で均一な垂直トレンチエッチング
Uniform Vertical Trench Etching on Silicon with High Aspect Ratio by Metal-Assisted Chemical Etching Using Nanoporous Catalysts
LI Liyi
(Georgia Inst. Technol., Georgia, USA)
,
LIU Yan
(Georgia Inst. Technol., Georgia, USA)
,
ZHAO Xueying
(Georgia Inst. Technol., Georgia, USA)
,
LIN Ziyin
(Georgia Inst. Technol., Georgia, USA)
,
WONG Ching-Ping
(Georgia Inst. Technol., Georgia, USA)
,
WONG Ching-Ping
(Chinese Univ. Hong Kong, HKG)
資料名：
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 6 号： 1 ページ： 575-584 発行年： 2014年01月08日
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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