文献
J-GLOBAL ID:201402253310368480
整理番号:14A0482589
Mg系II-VI半導体ナノ構造における屈折率変化の誘電的影響
Dielectric effect Of Changes Of Refractive Index In a Mg Based II-VI Semiconductor Nanostructure
著者 (2件):
MARK J. Abraham Hudson
(NPR Arts & Sci. Coll., Dindigul)
,
PETER A. John
(Government Arts Coll., Madurai)
資料名:
AIP Conference Proceedings
(AIP Conference Proceedings)
巻:
1512 Pt.B
ページ:
1020-1021
発行年:
2013年
JST資料番号:
D0071C
ISSN:
0094-243X
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)