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文献
J-GLOBAL ID：201402254982530095
整理番号：14A0590643
低漏洩電流と高破壊電圧(825V)の8インチSi上の通常時オフ Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMT
Normally-OFF Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMT on 8 in. Si with Low Leakage Current and High Breakdown Voltage (825V)
FREEDSMAN Joseph J.
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
EGAWA Takashi
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
YAMAOKA Yuya
(Taiyo Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN)
,
YANO Yoshiki
(Taiyo Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN)
,
UBUKATA Akinori
(Taiyo Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN)
,
TABUCHI Toshiya
(Taiyo Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN)
,
MATSUMOTO Koh
(Taiyo Nippon Sanso EMC Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 7 号： 4 ページ： 041003.1-041003.3 発行年： 2014年04月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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