文献
J-GLOBAL ID:201402255113781807
整理番号:14A0224943
アンアイソタイプヘテロ接合n-TiN/p-CdTeの製作およびキャラクタリゼーション
Fabrication and characterization of anisotype heterojunctions n-TiN/p-CdTe
著者 (7件):
SOLOVAN M M
(Chernivtsi National Univ., Chernivtsi, UKR)
,
BRUS V V
(Chernivtsi National Univ., Chernivtsi, UKR)
,
MARYANCHUK P D
(Chernivtsi National Univ., Chernivtsi, UKR)
,
ILASHCHUK M I
(Chernivtsi National Univ., Chernivtsi, UKR)
,
RAPPICH J
(Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, DEU)
,
NICKEL N
(Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, DEU)
,
ABASHIN S L
(National Aerospace Univ. ’Kharkiv Aviation Inst.’, Kharkiv, UKR)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
29
号:
1
ページ:
015007,1-8
発行年:
2014年01月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)