文献
J-GLOBAL ID:201402255662711802
整理番号:14A0765268
光学遷移確率が著しく強化された高品質半極性(1-102)AlGaN/AlN量子井戸
High quality semipolar (1102) AlGaN/AlN quantum wells with remarkably enhanced optical transition probabilities
著者 (5件):
ICHIKAWA S.
(Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 615-8510, JPN)
,
IWATA Y.
(Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 615-8510, JPN)
,
FUNATO M.
(Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 615-8510, JPN)
,
NAGATA S.
(JFE Mineral Co. Ltd., Chiba 260-0826, JPN)
,
KAWAKAMI Y.
(Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 615-8510, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
104
号:
25
ページ:
252102-252102-4
発行年:
2014年06月23日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)